光電晶圓拋光用綠碳化矽粉

綠碳化矽微粉2500#、3000#、4000#、6000#是光電晶圓研磨的主要研磨介質。在半導體工業中，2000～2500目的綠碳化矽粉曾作為矽片線切割的主流材料。隨著線切割技術的發展和人造金剛石微粉的大量生產，金剛石微粉逐漸取代綠碳化矽微粉。但在光電行業，綠碳化矽微粉在研磨領域仍佔有重要地位。

光電晶體是光電三極管的重要元件，將光能轉化為電能，實現電流轉換輸出。也可以檢測光脈衝並將其轉換為數字焊盤信號。光電晶片通常是具有光電特性的合成晶體材料，主要材料有鈮酸鋰晶體（LiNbO3）、鉭酸鋰晶體（LiTaO3）、二氧化矽晶體（SiO2）、二氧化鈦晶體（TiO2）、氧化碲晶體（TeO2） 、鈦酸鋇晶體（BaTiO3）、偏硼酸鋇BBO晶體（β-BaB2O4）等。

光電晶體的加工和研磨是光電元件生產中的關鍵工序。合理的晶面粗糙度會影響元器件的性能。上述光電晶體的硬度為7-7.5（莫氏硬度）或4-6（莫氏硬度），綠碳化矽可以實現對這些晶體的高效研磨。綠碳化矽的維氏硬度為 3280-3400 kg/mm2 或顯微硬度為 33Gpa。在高溫和大多數化學環境下穩定，是光電晶體磨削的主流磨料。

然而，並非所有市場上的綠碳化矽微粉都能滿足光電晶體研磨的要求。這是因為超細顆粒的均勻性和形狀。首先，綠碳化矽粉體的顆粒跨度大。研磨粉的粗顆粒會劃傷水晶表面，造成划痕。研磨粉顆粒細小會導致研磨效率降低。其次，綠碳化矽微粉的顆粒形貌。尖角和針狀磨粉顆粒不利於磨出光滑的表面。另一方面，相對圓潤的顆粒有利於研磨。

針對這兩種情況，綠碳化矽微粉廠家可以通過改進工藝來控制工藝。首先，溢流級配綠碳化矽磨粉可以降低細粉與粗粒的比例。它還可以將研磨粉的粒度跨度控制在一個較窄的範圍內。這確保了顆粒的一致性。其次，採用合理的物理加工方法可以改變磨粉的顆粒形狀。從前期的打磨工藝到後道的顆粒整形，都進行了嚴格的控制，大大降低了尖銳、柱狀、針狀顆粒的比例。