高純度β-SiC粉末 4N 5N 碳化矽粉末 2μm 5μm 10μm
高純度β-SiC粉末（4N/5N，粒徑2μm/5μm/10μm）為純度5N以上的β相碳化矽。 β相立方碳化矽具有3C立方晶體結構，其獨特的晶體形貌使其硬度接近鑽石，莫氏硬度為9.5-9.75。高純度β-碳化矽粉末採用高溫熱固性和化學氣相沉積（CVD）法製備。本產品具有純度高、β相含量高、粒徑可控、燒結性能優異、分散性好等特性。同時，立方碳化矽也具有優異的物理化學性能，如高導熱性、高電子漂移速度、高電子遷移率、耐腐蝕性和良好的抗熱震性。廣泛應用於航空航太、高階陶瓷、新能源電池、表面處理和半導體等產業。
高純度β-SiC粉末、4N、5N碳化矽粉末（粒徑2μm、5μm、10μm）的特性特性：
- 純度高，產品純度達 5N 或更高。
- 立方相含量高達99%，純β相晶體形式。
- 形態：球形顆粒，粒徑範圍廣泛可選。
- 氧氣含量低，低於0.3%。
- 燒結性能好，易於分散。
- 具有優異的耐高溫性、耐磨性、耐腐蝕性和抗熱衝擊性。
高純度β-SiC粉末4N 5N碳化矽粉末2μm 5μm 10μm的物理指標
| 晶體結構 | 立方體 |
| 晶相 | b |
| β含量 | ≥99% |
| 熔點 | 2700° |
| 分解溫度 | 2830°±40° |
| 熱膨脹係數 | 2.5-7 x10 -6 /°C |
| 熱導率 | 0.255 W/cm K |
| 莫氏硬度 | 9.5-9.75 |
| 維氏硬度（顯微硬度） | 3300-3500kg/mm² |
| 比重 | 3.216克/立方厘米 |
規格。
| 規格。 | 尺寸 | SiC純度（%） | β百分比 | 形狀 |
| 5N-βSiC-100nm | 100奈米 | 5N | ≥99% | 亞球形 |
| 5N-βSiC-300nm | 300奈米 | 5N | ≥99% | 亞球形 |
| 5N-βSiC-500nm | 500奈米 | 5N | ≥99% | 亞球形 |
| 5N-βSiC-2μm | 2微米 | 5N | ≥99% | 亞球形 |
| 5N-βSiC-5μm | 5微米 | 5N | ≥99% | 亞球形 |
| 5N-βSiC-10μm | 10微米 | 5N | ≥99% | 亞球形 |
| 5N-βSiC-10μm | 50微米 | 5N | ≥99% | 亞球形 |
| 7N-βSiC-G | 1-10毫米 | 7N | ≥99% | 粒子 |
高純度β-SiC粉末（4N、5N，粒徑2μm、5μm、10μm）的應用
- 精磨
- 精密碳化矽陶瓷
- 新能源電池
- 半導體
- 特種塗料
- 高溫材料
- 電子元件
